پس از پیشگامی تکنولوژی ترانزیستورهای FinFET در سال 2011، کمپانی اینتل یک معماری ترانزیستوری کاملاً جدید را معرفی کرد که بر روی نوارهای نانو متراکم ساخته شدهاست که آن را RibbonFET مینامیم. ترانزیستورهای RibbonFET دارای کانالهای نواری شکل هستند که توسط گیت احاطه شدهاند که در نهایت منجر به عملکرد بهتر در فضای کوچکتر میشود.
انتقال قدرت و سیگنال به ترانزیستورها به روش سنتی باعث ایجاد ناکارآمدی، کاهش قدرت و عملکرد میشود. هنگامی که PowerVia در سال 2024 به گره 20A اینتل تغییر نام دهد، اینتل برای اولین بار یک PDN برای ترانزیستورها راهاندازی خواهد کرد.
(Power Delivery Network (PDN *
fin field-effect transistor (FinFET) *
۵
از ۵
۳ مشارکت کننده
)
