SK Hynix حافظه فلش 238 لایه‌ای 4D NAND را رونمایی کرد.

شرکت SK Hynix اخیراً نمونه‌هایی از حافظه 238 لایه با ظرفیت 512 گیگابیت را برای مشتریان ارسال کرده است که قرار است تولید انبوه آن در نیمه اول سال 2023 آغاز شود. شایان ذکر است که آخرین محصول 238 لایه، هم بیشترین لایه‌بندی و هم کوچک‌ترین سطح را دارد.

Jungdal Choi رئیس توسعه حافظه NAND در SK Hynix گفت: «شرکت SK Hynix محصولات 238 لایه‌ای را بر اساس فناوری 4D NAND راه اندازی کرده است که رقابت جهانی را از نظر هزینه، عملکرد و کیفیت تضمین می‌کند. وی افزود ما به نوآوری و دستیابی به پیشرفت‌هایی در چالش‌های فناوری ادامه خواهیم داد.»

از زمان توسعه حافظه 96 لایه NAND در سال 2018، SK Hynix مجموعه‌ای از محصولات 4D را معرفی کرده است که عملکرد بهتری نسبت به محصولات 3D موجود دارند. این شرکت از فناوری‌های flash3 و peri under cell4 برای ساخت تراشه‌هایی با ساختار 4D استفاده کرده است. محصولات 4D در مقایسه با 3D دارای سطح سلول کوچک‌تری در هر واحد هستند که منجر به راندمان تولید بالاتر می‌شود.

این محصول از نظر اندازه کوچک‌ترین حافظه NAND است، به این معنی که بهره‌وری کلی آن در مقایسه با حافظه NAND با 176 لایه، 34 درصد افزایش یافته است. سرعت انتقال اطلاعات محصول 238 لایه 2.4 گیگابیت در ثانیه است که نسبت به نسل قبلی 50 درصد افزایش داشته است. کاهش 21 درصدی در میزان انرژی مصرف شده برای خواندن داده‌ها نیز مطابق با تعهد ESG شرکت است.

به بیانی ساده مزایای این فناوری به شرح زیر است:

• سرعت بالا: انتقال داده‌ها تا 2400 MT/s
• مصرف انرژی کمتر: کاهش قابل توجه مصرف نسبت به نسل قبلی
• کاربرد گسترده: مناسب برای SSDهای مصرفی و گوشی‌های هوشمند

محصول 238 لایه ابتدا برای SSDهای سمت مشتری به عنوان ذخیره‌سازهای کامپیوتر شخصی و سپس برای SSDهای با ظرفیت بالا در گوشی‌های هوشمند و ssd سرور به کار برده می‌شود. این شرکت همچنین محصولات 238 لایه را با 1 ترابیت (Tb) در سال آینده معرفی خواهد کرد که تراکم آن در مقایسه با محصول فعلی 512 گیگابیتی دو برابر شده است.

مقایسه حافظه‌های 238 لایه ای 4D NAND با نسل های جدید SK hyni

همانطور که گفته شد، حافظه فلش 238 لایه‌ای 4D NAND، با ظرفیت 512 گیگابیت، سرعت 2400 MT/s و مصرف انرژی کاهش یافته، عملکرد SSDها و گوشی‌های هوشمند را بهبود می‌بخشد، اما نسل‌های جدیدتر حافظه‌های  4D NAND SK hynix پیشرفت‌های قابل توجهی در سرعت، ظرفیت و بهره‌وری انرژی داشته‌اند.

در جدول زیر به مقایسه بین حافظه فلش 238 لایه‌ای 4D NAND شرکت SK hynix و نسل‌های جدیدتر آن می‌پردازیم: 

این مقایسه نشان می‌دهد که هر نسل جدید حافظه‌های SK hynix، سرعت، ظرفیت و بهره‌وری انرژی را بهبود داده و تجربه کاربری بهتری ارائه می‌کند.

به طور کلی حافظه فلش 238 لایه‌ای4D NAND برای کاربردهای عمومی و مصرفی بسیار مناسب است، اما برای نیازهای سنگین‌تر مانند مراکز داده و دستگاه‌هایی با حجم بالای ذخیره‌سازی، نسل‌های جدیدتر 321 لایه‌ای و نسخه QLC گزینه‌های بهتری هستند.

منبع:

https://news.skhynix.com/sk-hynix-develops-worlds-highest-238-layer-4d-nand-flash/

مترجم: اسما دادرس محبوب، محبوبه فغانی نرم