کمپانی Micron با تولید حافظههایNAND ، 232 لایه که دارای بالاترین چگالی است به پیشگام صنعت تراشههای حافظه تبدیل شده است.
این حافظه تا 2 ترابایت فضای ذخیرهسازی را در هر پکیج از حافظه NAND پشتیبانی میکند. در واقع با استفاده از طراحی 232 لایه برای اولین بار امکان دستیابی به 1 ترابیت را به هر تراشه TLC میدهد که این بالاترین تراکم TLC در هر میلی متر مربع (14.6 گیگابیت بر میلی متر مربع) میباشد. در واقع چگالی سطحی بین 35 تا 100 درصد بیشتر از محصولات TLC رقیب است.
حافظهNAND با 232 لایه از کمپانی Micron با کاهش 28 درصدی در اندازه پکیج NAND و افزایش چگالی باعث شده، ابعاد این حافظه فلش کاهش یابد و در عین حال نسبت به نمونه قبلی (حافظهNAND با 176 لایه) افزایش ظرفیت داشته باشته باشیم. در واقع هر پکیج 2 ترابایتی دارای ابعادی معادل 11.5 در 13.5 میلیمتر میباشد که کوچکترین NAND با چگالی بالا است.
این حافظه سریعترین سرعت ورودی/خروجی را با 2.4 گیگابایت بر ثانیه امکانپذیر میکند که 50 درصد سریعتر از نمونه قبلی (حافظهNAND با176 لایه) میباشد تا نیازهای مربوط به تأخیر کم و توان عملیاتی بالا در بارهای کاری دادهمحور مانند هوش مصنوعی، پایگاههای داده بدون ساختار، تجزیه و تحلیل زمان در دنیای واقعی و رایانش ابری را برآورده کند. همچنین 100 درصد پهنای باند نوشتن و 75 درصد پهنای باند خواندن در این حافظه 232 لایه افزایش یافته است.
معماری شش صفحهای این حافظه NAND باعت شده است که تداخل کمتری بین دستورات خواندن و نوشتن ایجاد شود که این امر باعث بهبود کیفیت خدمات (QoS) در سطح سیستم میشود. هر صفحه از این معماری قسمتی از حافظه فلش است که میتواند به صورت مستقل درخواستهای ورودی یا خروجی را دریافت نماید.
همه اینها به این معنی است که سازندگان درایوها میتوانند SSDهای سریعتر و با ظرفیت بالاتر را برای PCIe 5.0 ارائه دهند.
مترجم: محبوبه فغانی نرم